حافظه تغییر فاز

[amirhm]

دو عامل بسیار مهم در درایوهای ذخیره اطلاعات، میزان فضای ذخیره سازی و سرعت انتقال داده ها است. حالا به نظر می رسد که بعد از انقلاب درایوهای SSD در سرعت، بعد از عرضه درایو با حافظه تغییر فاز یا Phase‪-‬Change Memory شاهد جهش بزرگی در این زمینه خواهیم بود.
​

تیم دانشجویی مدرسه مهندسی جاکوبز دانشگاه کالیفرنیا اولین سری این درایو های SSD پر سرعت با نام Moneta را آماده نمایش کرده اند. البته مونتا تنها یک نوع جدید SSD نیست. بلکه این درایو یک PCM SSD یا اس اس دی با حافظه تغییر فاز است که اطلاعات را با استفاده از یک آلیاژ فلزی با نام chalcogenide ذخیره می کند. طبق گفته سازندگان، این کار باعث می شود که سرعت انتقال داده ها و ذخیره سازی اطلاعات، هفت برابر سریعتر از SSDهای موجود در بازار باشد.
PCM برای ذخیره اطلاعات از یک برنامه تولید گرما با جریان الکتریسیته استفاده می کند تا باعث تغییر آلیاژ مورد اشاره میان دو حالت کریستالی و بی شکل ‫(‬غیر متبلور‫)‬ شود‫.‬ خواندن اطلاعات هم از طریق یک جریان ضعیف تر اما با همین مکانیسم صورت می گیرد، تا سیستم تشخیص دهد که آلیاژ در کدام یک از دو حالت بی شکل یا کریستالی قرار دارد‫.‬

این درایو اطلاعات را با سرعت تئوری ۳۲۷ مگابایت بر ثانیه می خواند و ذخیره سازی و نوشتن اطلاعات هم با سرعت ۹۱ مگابایت بر ثانیه انجام می گیرد.

منبع
Phase Change Memory

​

 

[amirhm]

عصر جدید حافظه ها با اختراع جدید آی بی ام

عصر جدید حافظه ها با اختراع جدید آی بی ام

شرکت آی بی ام همیشه در ساخت فناوری های جدید پیشرو بوده است. و حالا شاهد یک اختراع مهم دیگر از این شرکت هستیم. کاری که دنیای حافظه ها را تا چند سال دیگر تغییر می دهد. ‏

مهندسان این شرکت حافظه جدیدی را ساخته اند که نسبت به مدل های پرسرعت فلش فعلی ۱۰۰ برابر سریع تر است. این حافظه با فناوری به نام Phase Change ساخته شده و به طور خلاصه PCM نامیده می شود.
علاوه بر سرعت بالا، این حافظه عمر بسیار طولانی هم دارد و ساخت اش آنقدر ارزان است که در تمام ابزارها از سرورهای ابری گرفته تا تلفن های هوشمند قابل استفاده است. بهترین حافظه های فلش فعلی ۳۰ هزار بار قدرت خواندن و نوشتن روی هر سلول را می دهند. هر چند برای یک کاربر معمولی طول عمر ۳ هزار بار هم کفایت می کند. اما حافظه جدید قدرت ۱۰ میلیون بار خواندن و نوشتن اطلاعات را به شما می دهد. ‏
بالاتر از اینها قدرت ذخیره سازی است. حافظه های فلش فعلی در هر سلول خودشان یک بیت از اطلاعات را نگهداری می کنند. اما حافظه PCM می تواند ۴ بیت از اطلاعات را در هر سلول نگهداری کند. شرکت آی بی ام می گوید که این فناوری ذهنیت ما را نسبت به حافظه ها طی ۵ سال آینده تغییر خواهد داد. چرا که به زودی حافظه های بسیار پرظرفیت با سرعت بالا در اختیار خواهیم داشت. ‏
این شرکت گفته که فناوری جدید اش تا سال ۲۰۱۶ به صورت تجاری در ابزارهای مختلف استفاده خواهد شد. سریع تر، ارزان تر، پرظرفیت تر و با عمر بیشتر.

منبع​

Engadget



​